Instabilities in MOS devices /

Saved in:
Bibliografiske detaljer
Hovedforfatter: Davis, J. R. (John Richard), 1951-
Format: Bog
Sprog:English
Udgivet: New York : Gordon and Breach Science Publishers, c1981.
Serier:Electrocomponent science monographs ; v. 12
Fag:
LEADER 01048cam a2200277 a 4500
001 c000216071
003 CARM
005 20060725115905.0
008 801003s1981 nyu b 001 0 eng
010 |a 80025156 
019 1 |a 1819546  |5 LACONCORD2021 
020 |a 0677055900 
035 |a (OCoLC)6889202  |5 LACONCORD2021 
040 |a LC  |b eng  |c LC  |d LC 
050 0 0 |a TK7871.99.M44  |b D38 
082 0 0 |a 621.3815/2  |2 19 
100 1 |a Davis, J. R.  |q (John Richard),  |d 1951- 
245 1 0 |a Instabilities in MOS devices /  |c J. R. Davis. 
260 |a New York :  |b Gordon and Breach Science Publishers,  |c c1981. 
300 |a xv, 175 p. :  |b 24 cm. 
440 0 |a Electrocomponent science monographs ;  |v v. 12 
504 |a Includes bibliographical refererences (p. 151-175) and index. 
650 0 |a Metal oxide semiconductors. 
852 8 |b CARM  |h A2:AN37A0  |i B06298  |p 0312949  |f BK 
999 f f |i 56ff7dd5-3458-5d16-8a37-ae0f7a43e725  |s d17f03c1-a3ab-57ab-9ed8-da5449093625 
952 f f |p Can circulate  |a CAVAL  |b CAVAL  |c CAVAL  |d CARM 1 Store  |e B06298  |f A2:AN37A0  |h Other scheme  |i book  |m 0312949