Four-terminal MOSFET modeling including non-quasistatic and moderate inversion effects /

Four-terminal MOSFET modeling including non-quasistatic and moderate inversion effects /

Bewaard in:
Bibliografische gegevens
Hoofdauteur: Bagheri, Mehran
Formaat: Thesis Boek
Taal:English
Gepubliceerd in: Ann Arbor, MI : University Microfilms International, c1986.
Onderwerpen:
Metal oxide semiconductor field-effect transistors > Mathematical models.
Omschrijving
Fysieke beschrijving:vi, 210 p. : ill. ; 22 cm.
Bibliografie:Bibliography: p. 200-210.

Gelijkaardige items