Four-terminal MOSFET modeling including non-quasistatic and moderate inversion effects /

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书目详细资料
主要作者: Bagheri, Mehran
格式: Thesis 图书
语言:English
出版: Ann Arbor, MI : University Microfilms International, c1986.
主题:
实物特征
实物描述:vi, 210 p. : ill. ; 22 cm.
参考书目:Bibliography: p. 200-210.