Process and device simulation for MOS-VLSI circuits /

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Ente Autore: NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits Urbino, Italy
Altri autori: Antognetti, Paolo
Natura: Atti del Convegno Libro
Lingua:English
Pubblicazione: Boston : Hingham, MA : Nijhoff ; Distributors for the U.S. and Canada, Kluwer Boston, 1983.
Serie:NATO ASI series. Applied sciences ; no. 62
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Collocazione: A2:AL01E0 C03966
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